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　　晶圆清洗工艺的目的是在不改变或损坏晶圆表面或衬底的情况下去除化学和颗粒杂质（下图）。晶圆清洗是为了预扩散清洗，即使其表面不受金属、颗粒和有机物的污染。金属离子清洗，即去除对半导体器件运行有不利影响的金属离子；颗粒清洗指的是使用化学或机械擦洗去除表面的颗粒，使用兆速清洗和蚀刻后清洗去除蚀刻过程后留下的光阻和聚合物。

　　接下来小编针对硅晶圆清洗的不同程序，对Ohmi清洗、兆声和超声清洗给大家做个简单的介绍，希望能对您有所帮助！

　　在超声波清洗过程中，通过高频振动（20～45 kHz）对清洗液进行机械震荡，导致空化并形成低压蒸汽泡擦洗表面。频率越高（45kHz），晶圆表面气泡越小，效率越低。然而兆声波(1MHz)清洗在去除粒子方面也很有效。这两种工艺对于去除硅晶圆表面污染物是非常有效的。

　　洁净室是所有这些清洁过程发生的地方，并在这里采取措施减少颗粒污染。洁净室内的温度、湿度、压力等参数均由高效微粒空气（HEPA）过滤器和超低微粒空气（ULPA）过滤器等关键部件控制。洁净室按两个标准分类（图4~5），即ISO等效和FED STD 209E等效。这种分类是根据每体积空气中允许的颗粒数来进行的。

　　以上是关于晶圆清洗工艺之Ohmi清洗、兆声和超声清洗的相关内容介绍了，希望能对您有所帮助！

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