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　　国家知识产权局信息显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司申请一项名为“一种去除晶圆片表面Hg残留的方法”的专利，公开号CN121865870A，申请日期为2026年1月。

　　专利摘要显示，本发明涉及一种去除晶圆片表面Hg残留的方法，所述方法包括以下步骤：MCV测试后的晶圆片浸入SPM溶液中进行第一次清洗；将第一次清洗后的晶圆片采用逐片方式放入SC1溶液中进行兆声清洗，得到清洗后的晶圆片。本发明采用逐片（一次一片）对MCV测试后的晶圆进行兆声清洗，能够有效去除Hg残留和清除其他杂质的同时避免批次间的交叉污染，而现有技术中常采用的槽式浸泡精度较弱，清洗后在晶圆片表面易残留杂质，清洗不干净且易导致交叉污染；本发明的清洗方法实现高均匀性、低污染的清洗效果，适用于先进制程。

　　天眼查资料显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司，成立于2018年，位于芜湖市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本31162.1464万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽长飞先进半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目31次，财产线条，此外企业还拥有行政许可14个。

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