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　　在12寸（300毫米）晶圆厂中，清洗是一个至关重要的工序。晶圆厂会购买大量的高纯度湿化学品如硫酸，盐酸，双氧水，氨水，氢氟酸等用于清洗。

　　颗粒会引起芯片的短路或开路，半导体制造是一个多步骤的过程，每一步工序都会产生大量的颗粒，需要将晶圆表面的颗粒控制在极低范围内才能继续下一工序。

　　业内标准药液：SC-1（StandardClean-1），又名APM，又名RCA-1。是由沃纳·科恩 （Werner Kern） 于1965 年在美国无线电公司（RCA） 工作时开发了这一配方，一直沿用至今。

　　配比为：氨水：双氧水：超纯水=1：1：6，可根据实际情况调整配比。在 75℃左右，超声浸泡 10 分钟。这种碱-过氧化物混合药液可去除部分的有机物和几乎全部的颗粒。

　　由于氨水能够解离出氢氧根离子，氢氧根离子可以使晶圆表面带负电，且可以改变颗粒的zeta 电位并使颗粒与晶圆相互排斥，而达到去除颗粒以及防止颗粒再次沉积的目的。

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　　金属离子的浓度。‍   金属离子浓度为什么要严格控制？‍‍‍‍ 金属离子在电场作用下容易发生迁移。如Li⁺，Na⁺、K⁺等可迁移到栅氧化层，导致阈值电压

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　　的化学稳定性，则进一步拓宽了其应用领域。电学性质上，碳化硅的宽禁带、高击穿电压以及相对较高的电子迁移率（尽管低于硅但在特定应用中依然优势显著），为高效能电子器件的设计提供了无限可能。然而，却在

　　的区别的分析： 材料特性： 碳化硅（SiC）是一种宽禁带半导体材料，具有比硅（Si）更高的热导率、电子迁移率和击穿电场。这使得碳化硅

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　　半导体制造业依赖复杂而精确的工艺来制造我们需要的电子元件。其中一个过程是

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